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▼2015 早春号

NEWS REPORT

2つの研究グループが「国際電子デバイス会議(IEEE International Electron Device Meeting; IEDM)」にて発表

「研究の早稲田」から着実な成果

世界最高耐圧の高性能ダイヤモンドトランジスタで自動車などさらなる省エネへ

ダイヤモンドトランジスタについてプレゼンする川原田洋教授

 川原田洋理工学術院教授らの研究グループは、電気自動車や電車などの省エネルギーに欠かせない、ダイヤモンド半導体を用いたトランジスタにおいて、20マイクロメーターの間隔で耐圧1600V、耐熱400℃まで安定な動作を可能とさせることに成功しました。耐圧1600V、耐熱400℃は世界最高値で、現在利用されているシリコントランジスタ(耐熱温度約180℃)をはるかに凌ぐ性能を持ちます。これにより自動車や電車、ロボットなどの動力系の消費電力を下げるなど、パワーエレクトロニクスへの大きな波及効果が今後期待されます。

 この研究が認められ、米・サンフランシスコで2014年12月に開催されたインテル、サムスン電子、東芝など世界有数のメーカーが競って発表する半導体デバイス分野で最高峰の国際会議「国際電子デバイス会議(IEEEInternational Electron DeviceMeeting; IEDM)」にて成果を発表しました。

修士2年・鈴木さん
ゲームなどで使われるGPUでMOSトランジスタの性能限界を予測

修士2年生でありながら卓越した研究成果を挙げた鈴木さん(手前)と、指導教員の渡邉孝信教授

 渡邉孝信理工学術院教授、大学院先進理工学研究科修士課程2年の鈴木晃人さんらの研究グループは、スマートフォンなどの電子機器の処理能力を左右する、半導体LSIの基本素子・MOSトランジスタの集積化限界を決める要因を明らかにすることに成功しました。鈴木さんは大学院に通う修士課程2年生。大学の卒業研究の頃から独自に開発した手法によるという同研究は、川原田洋教授ら研究グループと同様、国際会議「IEDM」でその成果を発表しました。

 本シミュレータは、コストパフォーマンスが極めて高く、モデルの形状や計算規模に対して高い自由度を与え、トランジスタの研究を促進させることが見込まれます。